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Cassification
LZD系列离子注入系统配置一套高能气体离子源和一套高能金属离子源，可实现不同气体离子和不同金属离子的单元素、多元素或混合元素注入。配置移动式加热和水冷样品平台，可对注入样品进行加热或冷却处理。适用于实验研究和小量样品试验。
Beneq TFS 200原子层沉积ALD为学术和企业研发设计，是一款高度多功能的原子层沉积（ALD）平台，在真正的 ALD 模式下提供出色的胶片质量。 系统的模块化架构允许多种升级，确保无论多么复杂，都能随着你的研究需求不断演进。
DWL 66+激光直写光刻系统是高性价比、高分辨率的图形发生器，适用于小批量掩膜版制作和直写需求。该设备具有多种选配模块，如对准系统、不同波长的激光发生器以及自动上下板加载系统等，能够满足各种精度要求。它是生命科学、先进封装、MEMS、微光学、半导体等领域至关重要的光刻研究工具。
AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。
NCE-200R原子层沉积ALD系统，基于表面自限制反应原理实现原子级精度薄膜生长，广泛应用于半导体、MEMS、光伏、储能等前沿领域。该系统核心优势在于超高沉积效率，单循环时间最短至2秒，效率达国际同类产品的4-10倍，同时薄膜厚度控制精度可达0.1nm级别，兼具优秀的3D保形性，能精准填充复杂孔洞及缺陷。
MNT-D双腔型原子层沉积ALD系统采用喷淋模式双腔反应腔设计，核心面向高效研发与中试生产场景，可制备原子级精度的高质量薄膜，广泛适配半导体、微电子、能源存储、生物医疗等前沿领域的薄膜工艺需求。
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