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Cassification
PECVD等离子体增强化学气相沉积系统面向半导体、光电器件及功能薄膜制备需求开发，采用等离子体增强化学气相沉积技术，可在较低温度条件下实现高质量薄膜沉积。
MPALD微波等离子体增强原子层沉积系统采用 2.45GHz 微波等离子体源，结合原子层沉积自限制反应机理，可在低温条件下实现高质量、致密、均匀的大面积薄膜沉积。 设备具备高均匀性、低离子损伤、优异台阶覆盖率和稳定工艺能力，适用于半导体、先进封装、新型显示、光电子等领域。
TALD热原子层沉积系统专为大面积钙钛矿电池薄膜沉积和工艺开发设计，具备优异的温度均匀性与沉积一致性，支持多种功能薄膜层的高质量制备，满足钙钛矿电池界面层、传输层与封装层等多层次沉积需求，助力高效稳定器件的工业化生产。
TALD桌面型原子层沉积系统是一款紧凑型热ALD平台，适用于实验室与研发空间使用。设备支持碎片及2-6英寸晶圆，满足多种基体与工艺需求，可用于氧化物等薄膜的工艺开发。腔体体积小、前驱体利用率高，支持配方编辑、自动循环、数据记录、报警提示及安全联锁，为科研与工艺验证提供稳定、高效的沉积解决方案。
GVC-2000T 高真空磁控离子溅射仪是一款桌面型的小型化的 PVD 仪器，主要用于少量、小型样品的表面镀膜工艺过程。仪器具备直流磁控溅射电源，可以满足所有金属导电膜层的制备需求，尤其对于纳米及亚微米膜层的制备，具有非常明显的优势。
GVC-2000 全自动磁控离子溅射仪是一款紧凑型桌面式低真空台式镀膜仪，占地空间小，操作简单、可靠性稳定性好。
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