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MPALD微波等离子体增强原子层沉积系统采用 2.45GHz 微波等离子体源，结合原子层沉积自限制反应机理，可在低温条件下实现高质量、致密、均匀的大面积薄膜沉积。 设备具备高均匀性、低离子损伤、优异台阶覆盖率和稳定工艺能力，适用于半导体、先进封装、新型显示、光电子等领域。
TALD热原子层沉积系统专为大面积钙钛矿电池薄膜沉积和工艺开发设计，具备优异的温度均匀性与沉积一致性，支持多种功能薄膜层的高质量制备，满足钙钛矿电池界面层、传输层与封装层等多层次沉积需求，助力高效稳定器件的工业化生产。
TALD桌面型原子层沉积系统是一款紧凑型热ALD平台，适用于实验室与研发空间使用。设备支持碎片及2-6英寸晶圆，满足多种基体与工艺需求，可用于氧化物等薄膜的工艺开发。腔体体积小、前驱体利用率高，支持配方编辑、自动循环、数据记录、报警提示及安全联锁，为科研与工艺验证提供稳定、高效的沉积解决方案。
SILAYO PEALD 光学涂层原子层沉积系统扩展了 SENTECH ALD 和 PEALD 产品组合，适用于 330 毫米基底和三维基底的沉积。
SI PEALD等离子体增强原子层沉积系统能够在低温下均匀且贴合地涂层敏感基底和层。样品表面提供高通量的反应性气体，无需紫外线或离子轰击。
Beneq C2R ALD空间原子层沉积系统将等离子体增强原子层沉积 （PEALD） 工艺提升到一个全新的水平 – PEALD 可用于大批量生产。由于采用等离子体增强旋转原子层沉积工艺，Beneq C2R 是厚原子层沉积膜的理想选择，甚至可达几微米。
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