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Cassification
HORIC L200卧式低压化学气相沉积系统，主要用于半导体产线8英寸及以下晶圆淀积SiN、POLY、SiO₂等薄膜，设备工艺性能好、产能大、可靠性高，可满足半导体领域的多种产线需求。设备包含净化工作台、炉体机箱、气源柜、真空系统及电气控制系统五大部分，相关模块齐全，可根据不同客户需求进行配置。
Esther E320R 8英寸单片减压硅外延系统主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺的运行。该设备主要由传输系统模块、工艺腔室模块、压力控制模块等组成。精准的压力、气流场与温场控制，保证了外延片良好的工艺性能，保证成膜质量。传输模块可兼容多种晶圆尺寸，同时满足多种类的工艺需求。
eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统，适用于12英寸集成电路领域，是一款PVD设备。该系统集成高温去气、等离子体预清洗、高温Al、TaN、TTN等多种工艺模块，能在系统内部实现工艺整合，还涉及大平台传输、高温静电卡盘、磁控溅射源设计、厚铝Whisker Defect控制及软件控制等多项关键技术。
NMC 508RIE介质等离子刻蚀机为电容耦合等离子体干法刻蚀机，适用6/8英寸介质层刻蚀工艺，具有高刻蚀速率和均匀性，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
NMC 508M金属等离子刻蚀机，适用6/8英寸金属干法刻蚀工艺。具备良好的铝线形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，含金属腔和去胶腔组合，可全自动并行工艺，PM维护周期长，性能稳定，产能高，客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、硅基微型显示、科研等领域中的金属铝、钨等刻蚀工艺。
NMC 508CG多晶硅等离子硅刻蚀机适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺，易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研等领域的前道关键工艺。
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