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Cassification
nano ANNEAL 真空退火系统针对二维材料和晶圆在受控气氛下的热处理进行了优化。基材面朝上支撑在舞台顶板上，平台中央置于一个不锈钢高真空腔体内，舱内配备适当的隔热层和百叶窗视窗。加热通过位于盘子下方的热源进行。根据所使用的加热技术，最高温度可达1000°C
THEORIS A302 12英寸立式低温退火炉在中低温条件下，通入N₂、H₂或D₂等气体，以消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量，提升器件良率。该系统具备高精度的温度控制系统、良好的金属控制能力、高稳定的传输系统以及安全的特气处理装置，兼顾了良好的工艺指标、高产能和安全可靠性。
Booster SWA单片退火系统主要用于12英寸后段金属互联退火工艺。该机台为多腔集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。系统主要由传输模块和3个工艺模块组成，其中工艺模块主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工艺，通过去除Low-K材料吸附的水汽以恢复K值，传输模块用于将晶圆安全而准确地送达到指定工位。
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