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Cassification
Ionfab 300 IBE离子束刻蚀设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。
PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备结合了针对GaN和AlGaN层优化的全集成Etchpoint®刻蚀深度监控解决方案，可为p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT等器件提供低损伤刻蚀和平滑的表面，以及十分优秀的目标刻蚀深度精度。
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 优良封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。
PlasmaPro 80 ICP等离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等离子刻蚀设备为得到更为优秀的刻蚀效果提供了智能解决方案，凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。
PlasmaPro 800 RIE反应离子刻蚀设备是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。
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