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Cassification
GDE C200系列高密度化合物刻蚀设备主要用于6/8英寸化合物材料干法刻蚀。该设备采用超高密度等离子体源、独立控温上电极系统，配置高温下电极系统，可以兼容二/三/四代化合物半导体材料刻蚀。
HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反应腔硬件平台。
Ionfab 300 IBE离子束刻蚀设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。
PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备结合了针对GaN和AlGaN层优化的全集成Etchpoint®刻蚀深度监控解决方案，可为p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT等器件提供低损伤刻蚀和平滑的表面，以及十分优秀的目标刻蚀深度精度。
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀设备旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 优良封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。
PlasmaPro 80 ICP等离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。
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