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Cassification
Nitride MBE Systems分子束外延系统专门设计用于生长高质量的氮化物、铝铵及相关氮化物材料。生长模块设计用于处理高强度活性氮含量，并配备高温基底加热器以实现均匀生长。活性氮由射频等离子体或氨源产生。
MBE 8000分子束外延系统旨在满足高性能复合半导体器件日益增长的需求。 这种8×6'或4×8'固态源MBE系统，在超高真空环境中使用超纯金属，在设计、温度均匀性和通量均匀性方面超越了该技术的基本优良预期。 该系统能够培养8片150毫米（6英寸）晶圆或4片200毫米（8英寸）晶圆，具有显著的均匀性和极低的缺陷水平。该平台已评估其940纳米VCSEL（垂直腔面发射激光器）的生长能力。
MBE 6000分子束外延系统是全球每个成功的大批量商家或内部 epi 操作的核心。它是高通量和可重复性的MBE基准。活动时间通常超过一年，这证明了反应堆的稳定性和可靠性。没有比Riber的新客户和长期客户重复下订单更有力的认可了。有许多晶圆厂配备了 2 – 8 个 MBE 6000,24 / 7 并排运行。最初，系统主要用于制造大量微波器件材料。
MBE 49分子束外延系统有四台反应器，专门用于沉积砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。这些行业前沿的机器容量为200毫米、150毫米、四片4英寸晶圆或五片3英寸晶圆，具备原位监测和生长前处理能力。
MBE 412分子束外延系统凭借全自动样品转移、12源端口灵活性以及无论材料系统如何均可重复的晶圆制造质量的epi，412设计以实现这些目标。从基础材料研究到设备的小规模生产，涵盖了各个环节。
Lab10 MBE分子束外延系统是一款用于超高真空条件下探勘材料研究的小型样品沉积工具。它是一个灵活的系统平台，适用于多种MBE应用，如二维材料生长、金属间化合物、氧化物异质结构或有机层。Lab10 MBE配备了*的蒸发控制软件，并提供多个原位特性分析端口。
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