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Cassification
Satur系列多片式MOCVD外延系统，采用金属有机化合物源输运方案，适用于氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体外延生产。 设备全系自主研发，优化流场与温场设计，均匀性控制能力突出。
MARS系列碳化硅外延系统是面向碳化硅外延工艺的专用设备，覆盖单腔、双腔两大产品形态，全面适配6/8英寸碳化硅晶圆量产需求，全系采用水平热壁式技术路线，结合先进的控温、控压算法，以及独特的进气与混流结构，使工艺过程中的热场和气流场保持均匀稳定，厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷密度等关键工艺指标均达到行业先进水平，可适配N&P碳化硅外延、沟槽填充以及厚膜工艺等多种工艺需求。
SES系列8英寸多片硅外延系统，适用于4/5/6/8英寸的硅外延工艺。SES系列反应腔室采用多片平板式的结构，配合感应加热的方式实现高质量的外延薄膜生长，适用于厚度5-130µm范围的外延工艺，精确可调N型、P型掺杂。
Nitride MBE Systems分子束外延系统专门设计用于生长高质量的氮化物、铝铵及相关氮化物材料。生长模块设计用于处理高强度活性氮含量，并配备高温基底加热器以实现均匀生长。活性氮由射频等离子体或氨源产生。
MBE 8000分子束外延系统旨在满足高性能复合半导体器件日益增长的需求。 这种8×6'或4×8'固态源MBE系统，在超高真空环境中使用超纯金属，在设计、温度均匀性和通量均匀性方面超越了该技术的基本优良预期。 该系统能够培养8片150毫米（6英寸）晶圆或4片200毫米（8英寸）晶圆，具有显著的均匀性和极低的缺陷水平。该平台已评估其940纳米VCSEL（垂直腔面发射激光器）的生长能力。
MBE 6000分子束外延系统是全球每个成功的大批量商家或内部 epi 操作的核心。它是高通量和可重复性的MBE基准。活动时间通常超过一年，这证明了反应堆的稳定性和可靠性。没有比Riber的新客户和长期客户重复下订单更有力的认可了。有许多晶圆厂配备了 2 – 8 个 MBE 6000,24 / 7 并排运行。最初，系统主要用于制造大量微波器件材料。
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