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Cassification
PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀设备是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。
PlasmaPro 100 RIE反应离子刻蚀设备可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。
nano Etch反应离子（RIE）刻蚀系统，专为石墨烯和2D材料的高精度加工设计。nanoETCH具备高精度射频源和毫瓦级功率控制，能实现逐层刻蚀及层内缺陷制造，并已在多家研究机构验证其性能。该系统适用于多种二维材料处理任务，具有易于维护、安全性高等优点。
SI 591反应离子刻蚀（RIE）设备采用模块化设计，适用于III/V半导体和Si加工工艺，具备高均匀性和优重复性的蚀刻工艺。其主要特点包括预真空锁loadlock、电脑控制操作、数据资料记录及穿墙式安装方式等。该设备支持全自动/手动过程控制，智能过程控制及多用户权限设置，可选配多种功能以满足不同需求。
AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。
PlasmaPro 100 Cobra感应耦合等离子刻蚀是英国牛津仪器公司推出的一款高性能、高灵活性的电感耦合等离子体刻蚀系统。它主要服务于优良半导体、微机电系统、光电子器件及前沿纳米技术等领域的研发与生产，专注于在各类材料上实现高精度、高深宽比的微纳结构刻蚀。
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