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Cassification
NMC 508RIE介质等离子刻蚀机为电容耦合等离子体干法刻蚀机，适用6/8英寸介质层刻蚀工艺，具有高刻蚀速率和均匀性，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺、易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低。
NMC 508M金属等离子刻蚀机，适用6/8英寸金属干法刻蚀工艺。具备良好的铝线形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，含金属腔和去胶腔组合，可全自动并行工艺，PM维护周期长，性能稳定，产能高，客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、硅基微型显示、科研等领域中的金属铝、钨等刻蚀工艺。
NMC 508CG多晶硅等离子硅刻蚀机适用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蚀工艺。具备良好的形貌控制能力、高刻蚀速率、高刻蚀均匀性、低颗粒/缺陷等性能优势。该机台为多腔室集群设备，可全自动并行工艺，易维护、性能稳定、产能高、客户拥有成本低 。已广泛量产应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、科研等领域的前道关键工艺。
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