
在半导体集成电路制造过程中,随着每一层金属或介质层的沉积,晶圆表面都会出现凹凸不平的形貌。这种不平整性如果得不到有效控制,将直接影响后续光刻工艺的焦深,导致图形转移失真,甚至造成器件失效。特别是进入90nm及以下制程后,光刻工艺对晶圆表面平整度的要求达到了全新的高度——亚纳米级别的粗糙度控制已成为必须跨越的技术门槛 。
与此同时,化合物半导体、MEMS器件、先进封装等领域对晶圆减薄与表面处理的需求也呈现爆发式增长。无论是功率器件散热需求驱动的晶圆减薄,还是三维集成所需的TSV制程,都对CMP工艺提出了更高要求。正是在这样的产业背景下,POLI-500凭借其出色的工艺兼容性与稳定的加工能力,成为众多研发机构和产线的选择。
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设备参数解析
POLI-500 是专为 4-8 英寸晶圆研发评估设计的紧凑型 CMP 设备,整机采用高刚性一体化结构设计,在极小的占地空间内集成了完整的抛光、控制、监测与自动化功能。

核心参数
• 晶圆尺寸:最大200mm (8英寸),兼容150mm (6英寸)及以下规则小片
• 抛光盘尺寸:Ø508mm (20英寸)
• 抛光盘/头转速:30 ~ 200 RPM(可调)
• 抛光头摆动幅度:±15mm 至 ±20mm
• 晶圆压力:气囊柔性加压,范围 70 ~ 500 g/cm²
• 设备尺寸(WxDxH):约 1200 x 1160 x 1960 mm
• 抛光液通道:标配3路独立通道,可选配更多
技术特点
(一)薄膜气囊式柔性加压技术
采用行业主流的橡胶膜式抛光头,通过均匀气压实现晶圆全表面压力精准控制,替代传统集中式轴向加载方案,从根源上解决压力分布不均的问题,保障片内抛光均匀性。抛光头支持多分区压力独立控制,可针对晶圆边缘、中心区域进行压力微调,适配不同材料的平坦化需求。
(二)高刚性结构与稳定运动控制
设备主体采用高刚性机架设计,有效抑制抛光过程中的振动;抛光头与抛光盘均支持 30~200rpm 宽范围转速独立调节,抛光头具备 ±12mm(部分版本 ±15mm)的往复摆动功能,可实现抛光垫全表面均匀利用,延长耗材寿命的同时,保障片间工艺重复性。
(三)全流程工艺监控与闭环控制
标配晶圆下压力、修整器负载实时监测系统,可选配摩擦力、抛光盘温度在线监测模块,以及抛光终点检测功能,可实现工艺参数的实时采集、反馈与自动调整,支持 Dry-in/Wet-out 全自动工艺流程,减少人工干预带来的工艺波动。
(四)快速换型与防交叉污染设计
采用快拆式抛光盘、抛光头与载具结构,可快速完成不同尺寸晶圆、不同材料工艺的切换,大幅缩短换型时间;同时可有效避免不同工艺、不同材料之间的交叉污染,适配多品类样品的研发测试需求。
(五)抛光盘精准温控能力
抛光盘内置冷却流道,可外接冷水机实现抛光盘温度恒定控制,抑制抛光过程中摩擦热累积带来的工艺漂移,保障去除速率与抛光质量的长期稳定性。
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行业痛点分析与技术解决方案
一、抛光均匀性与批次一致性不足,研发数据重复性差

痛点:传统 CMP 设备多采用轴向集中载荷的加压模式,压力集中在机头中心,极易出现晶圆片内压力分布不均的问题,导致抛光后片内非均匀性(WIWNU)偏高;同时在小尺寸样品、特殊化合物半导体材料抛光时,片间批次一致性无法保障,研发数据重复性差,严重影响实验结果的可靠性与研发进度。
技术解决方案:设备搭载柔性薄膜加压技术,通过超薄橡胶膜对晶圆表面施加全域均匀气压,替代传统集中载荷模式,从根源上解决压力分布不均的核心问题,实现晶圆片内非均匀性与片间非均匀性(WTWNU)均低于 5% 的稳定表现。针对小尺寸 Coupon 晶圆研发场景,设备配套专用 EPC 环适配方案,可在 8 英寸晶圆承载头上实现 2/3 英寸小样品的均匀加压抛光,片内非均匀性可控制在 3%~5%,适配高校实验室、新材料研发的小批量、多品类样品抛光需求,保障每一次实验数据的稳定可重复。
二、多工艺场景换型效率低,交叉污染风险高

痛点:研发场景往往需要频繁切换晶圆尺寸、抛光材料与工艺配方,传统 CMP 设备的抛光盘、承载头更换流程复杂,换型耗时长,且不同材料、不同耗材之间极易发生交叉污染,不仅大幅降低研发效率,还会直接影响耗材验证、材料研发的实验准确性。
技术解决方案:设备采用快换式抛光盘与承载头结构设计,上抛光盘可实现快速拆卸与更换,既能延长抛光垫使用寿命,也能在多材料抛光场景中快速切换,杜绝交叉污染;承载头结构支持 4/6/8 英寸晶圆的快速适配,大幅缩短工艺换型时间,15 分钟内即可完成不同尺寸、不同材料工艺的换型与清洁准备。该设计适配耗材供应商、衬底制造商的多品类、多批次研发评估需求,让不同配方的抛光液、抛光垫验证效率提升 40% 以上,从物理层面规避交叉污染带来的实验数据偏差。
三、工艺过程缺乏实时监测,抛光终点无法精准把控

痛点:CMP 抛光过程中,摩擦状态、抛光盘温度、压力波动等参数的细微变化,都会直接影响抛光效果与材料去除率。传统研发级设备缺乏全流程实时监测能力,无法精准判断抛光终点,只能依靠固定时间进行工艺控制,极易出现抛光不足或过抛问题,同时工艺过程数据无法完整追溯,不利于研发工艺优化与实验数据复盘。
技术解决方案:设备可选配全链路过程监测系统,集成摩擦力与温度实时监测模块、晶圆下落力与调理负载监测系统,可对抛光全过程的关键参数进行毫秒级实时采集与反馈。搭配 PC 端智能控制系统,可根据摩擦系数、温度变化等参数精准判断抛光终点,杜绝过抛与抛光不足问题;同时所有工艺参数可全程自动记录与存储,为研发工艺优化、数据复盘、学术论文撰写提供完整的可追溯数据支撑,契合高校科研院所的研发实验需求。
四、量产型设备成本高、占地大,实验室适配性差

痛点:传统量产型 CMP 设备占地面积大,采购与运维成本高昂,无法适配高校实验室、中小研发机构的场地与预算限制;同时量产设备操作流程复杂,对实验人员的专业门槛要求高,需要专人专职操作,大幅增加了研发端的人力与时间成本。
技术解决方案:设备采用紧凑型一体化设计,整机尺寸仅 1200W1160D1960H mm,可灵活放置于标准实验室环境中,无需大规模场地改造。相较于量产型 CMP 设备,大幅降低了采购与运维成本,同时保留了完整的研发级工艺拓展能力,实现 “小体积、全功能、高精度" 的高效适配。设备搭载一键式自动序列工艺控制系统,可实现干入 / 湿出全流程自动化运行,实验人员经过简单培训即可独立完成工艺操作,大幅降低了设备使用门槛,让不同课题组、不同研发方向的人员均可快速上手,提升实验室设备利用率。
五、抛光温度波动大,敏感材料工艺稳定性不足

痛点:CMP 抛光过程中会持续产生热量,抛光盘温度的波动会直接导致材料去除率、抛光速率的不稳定,尤其是 SiC、GaN 等第三代化合物半导体、超薄氧化物薄膜等对温度敏感的材料,温度波动会直接造成批次间工艺偏差,甚至导致晶圆样品报废。
技术解决方案:设备抛光盘内置专用温控流道,可外接冷水机实现抛光盘温度的精准闭环控制;搭配高导热金属抛光盘材质,可快速导出抛光过程中产生的热量,杜绝热量累积导致的工艺波动。该设计可保障设备在长时间连续运行过程中,抛光环境与工艺参数的高度稳定,无论是硅基晶圆、金属薄膜,还是对温度敏感的化合物半导体材料,均可实现稳定的抛光效果,保障批次间工艺重复性。
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应用场景与案例
应用场景
一、集成电路研发

对硅晶圆上的介质层和金属层进行全局平坦化,是半导体工艺研发的关键设备。
二、先进封装(TSV)
用于硅通孔(TSV)工艺,对晶圆进行减薄和表面平坦化。
三、MEMS(微机电系统)

为MEMS器件的结构层提供高平整度的表面。
四、SOI(绝缘体上硅)

用于制备SOI材料,以改善器件性能。
五、STI(浅沟槽隔离)

用于芯片制造中的隔离工艺,实现无凹陷的平坦化表面。
应用案例
一、上海交通大学

POLI-500 CMP 核心用于半导体集成电路领域,通过化学腐蚀与机械研磨协同,实现亚纳米级表面平整、减薄与缺陷消除。
二、厦门大学

POLI-500 CMP 用于各类半导体集成电路,SiO2等氧化物薄膜,Cu、AI等金属,STI,LT、LN、InP、GaAs等各类产品的平坦化抛光。
三、华南理工大学

POLI-500 CMP 可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。
四、深圳技术大学

POLI-500 CMP 可抛光材料,Si、SiO2、SiNx、AlN、GaAs、GaN、Al2O3、InP、Mo、LT、LN、Cu、W等薄膜。
04
实施与部署
为确保POLI-500 设备快速落地、稳定运行,我们提供全流程、全生命周期的实施与服务保障体系,覆盖从前期规划到后期运维的全环节。
一、前期方案规划与场地适配
项目启动阶段,技术团队会与客户进行深度需求沟通,根据客户的研发方向、工艺需求、场地条件、预算规划,提供定制化的设备配置方案,同时完成洁净室场地的布局规划、水电与气源配套方案设计,确保设备进场后可快速完成安装部署,无需二次改造。
二、设备安装调试与工艺验证
设备到货后,安排专业工程师团队上门完成设备的安装、调试与校准工作,确保设备各项性能指标达到出厂标准;同时可根据客户的具体工艺需求,协助完成基础工艺的开发与验证,让设备快速投入研发使用。
三、系统化操作培训与技术赋能
为客户提供全层级的系统化培训,针对设备操作人员,完成设备操作、日常维护、基础故障排查的全流程培训;针对研发技术人员,提供 CMP 工艺原理、设备参数优化、工艺开发方法的深度技术培训,确保客户团队能够掌握设备的使用与工艺开发能力,充分发挥设备的性能优势。
四、全生命周期售后运维服务
设备交付后,提供终身售后运维服务,快速解决设备使用过程中的各类问题;定期提供设备上门巡检与保养服务,提前排查潜在故障隐患,保障设备长期稳定运行;同时持续提供工艺技术支持与设备升级服务,伴随客户的研发需求升级,为设备提供功能模块扩展与性能升级服务,延长设备的使用寿命。
在半导体产业国产化加速推进的今天,研发端的技术创新是产业发展的核心驱动力。POLI-500 研发级 CMP 化学机械抛光系统,以精准的性能、灵活的适配性、高性价比的优势,破解了半导体研发场景的诸多核心痛点,为高校科研院所、芯片研发企业、耗材厂商提供了可靠的 CMP 工艺解决方案,助力中国半导体产业的研发创新与技术突破。