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Cassification
MBE-1000 cluster 分子束外延系统,可进行5×3'',4×4'',单片6'', 单片8''衬底外延生长。该系统可实现全自动传样和生长,非常适用于器件的批量生产。生长室采用双温区衬底加热,实现生长温度均匀可控。MBE-1000系统可定制10个蒸发源端口或12个蒸发源端口。
MBE-2000 分子束外延系统是一款批量生产型分子束外延系统,可实现 9×4 英寸、4×6 英寸等多种规格衬底的外延生长,具备样品传送、束流标定、外延生长等全自动化功能,支持 24/7 批量化生产模式,并配备 RHEED 等原位监测系统实时监控生长状态,适用于化合物半导体芯片等领域的批量生产。
HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统配置不同类型的蒸发源,适用于强磁场下多种材料体系研究,可生长金属、磁性薄膜及半导体异质结,适合互联多种原位量测系统。同时系统操作简单,模块化腔室构型,方便日常维护保养。
Compact 21MBE分子束外延系统是一个灵活且经济实惠的 MBE 系统,其功能经过精心设计,以满足材料研究和试点生产中苛刻的规格要求。
GEN2000 MBE分子束外延系统提供的吞吐量、更长的活动周期、更小的占地面积和集群工具晶圆处理。它是 HBT 和 pHEMT 等无线通信设备大批量生产以及需要以低拥有成本生产 6 英寸的新兴应用的理想选择。
GEN200 MBE分子束外延系统是当市场上具成本效益和高容量的多 4 英寸生产 MBE 系统。该系统在用于泵浦激光器、VCSEL 和 HBT 等设备的生长中提供的吞吐量、长时间的加工周期和出色的晶圆质量。