ALD-150LE™原子层沉积系统是我们实惠但极其灵活性的原子层沉积（ALD）系统，专为入门到中级用户设计。该ALD150LE™配置为纯热ALD设计，其独特的工艺腔体设计促进了均匀的前驱体扩散和传递。优秀的供暖和温控进一步提升了系统性能。总体而言，ALD150LE™在紧凑设计中提供了优秀的灵活性和性能，同时不牺牲可用性。

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更新时间：2026-03-04
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ALD-150LE™原子层沉积系统是极其灵活的原子层沉积（ALD）系统，专为入门级到中级用户而设计。该ALD150LE™配置为纯热原子层沉积，工艺室设计促进了均匀的母离子分散和输送。加热和温度控制进一步增强了系统性能。总体而言，该ALD150LE™在紧凑的设计中提供了的灵活性和性能，而不会牺牲可维护性。

ALD-150LE™原子层沉积系统配置为纯热原子层沉积，我们的垂直流设计可实现分离、均匀的前驱体输送，同时降低背景杂质水平，从而提高薄膜质量。为避免不必要的材料在输送通道内积聚和颗粒形成，有两个独立的腔室入口可用于前驱体分离。例如，可以使用单独的入口来分离金属有机前体和共反应物，以防止在输送管线和阀门中沉积。

两个独立的进样口，用于前驱体输送，可防止输送通道中不必要的积聚
开放式装载室经过精心设计，可最大限度地减少由于密封脱气和渗透引起的背景杂质
独立的基板加热器平台和外腔壳体，可实现出色的温度控制和均匀性
304L不锈钢结构
可访问、低维护的设计

ALD150LE™开路负载设计允许在样品引入过程中将基物（直径最大为 150 mm）直接放置在基板加热器台上。在随后的原子层沉积（ALD）处理过程中，集中式母离子输送和泵送建立了一个屏障，将下游腔室密封的杂质挡在反应区之外。弹性体腔密封件在下游的战略定位可使杂质（由于密封件释气和渗透）远离基材表面，从而提高 ALD 薄膜质量。特别是，这是在开放式负载室设计中获得高质量氮化物膜的一个重要特征。

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