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Cassification
PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。
PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。
PlasmaPro 800 PECVD化学气相沉积系统为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。
PlasmaPro 80 PECVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。
nano ANNEAL 真空退火系统针对二维材料和晶圆在受控气氛下的热处理进行了优化。基材面朝上支撑在舞台顶板上，平台中央置于一个不锈钢高真空腔体内，舱内配备适当的隔热层和百叶窗视窗。加热通过位于盘子下方的热源进行。根据所使用的加热技术，最高温度可达1000°C
nano Etch反应离子（RIE）刻蚀系统，专为石墨烯和2D材料的高精度加工设计。nanoETCH具备高精度射频源和毫瓦级功率控制，能实现逐层刻蚀及层内缺陷制造，并已在多家研究机构验证其性能。该系统适用于多种二维材料处理任务，具有易于维护、安全性高等优点。
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