PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。

Name: PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统
Brand: OXFORD/英国牛津
Availability: InStock

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Cassification

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详细介绍

1. 产品概述

PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统专门设计用于在相对较低的生长温度下生产高质量的薄膜，其核心技术是采用高密度远程等离子体来实现。这种设计不仅使得薄膜的成核和生长过程更加可控，还有效地提高了薄膜的物理和化学性能。

通过高密度等离子体的使用，利用源自等离子体中的活性物质和离子，能够促进化学反应的发生，使得薄膜在较低的温度环境中仍能实现优质的沉积。这意味着在沉积过程中，能够有效地避免基板因过高温度而出现的热损伤，从而保护基材的结构与性能，确保最终产品的可靠性和稳定性。

此外，该工艺模块为材料的多样性和应用广度提供了可能，适用于多种类型的薄膜沉积，包括但不限于硅基材料、氮化物、氧化物等。这使其在半导体、光电及微机电系统 (MEMS) 等行业中具有广泛的应用前景。

2. PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统特色参数

更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺

高质量薄膜

电的适用温度范围宽

兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

快速更换不同尺寸晶圆

购置成本低且易于维护

紧密的设计，布局灵活

电阻丝加热电，高温度可达400°C或1200°C

实时监测清洗工艺，并且可自动停止工艺

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