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Cassification
G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统是面向6/8 英寸 GaN 功率与射频器件的新一代量产型 MOCVD 设备，高产能、高均匀性、低成本，专为新能源与 5G 通信外延量产设计。
G10-SiC CVD碳化硅化学气相沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。
PD-3800L PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。
PD-220NL PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
PlasmaPro 80 ICPCVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。
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