PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

Name: PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统
Brand: OXFORD/英国牛津
Availability: InStock

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Cassification

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PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统产品特点：

通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时，允许使用较高的气体通量

高度可变的下电极

充分利用等离子体的三维特性，在优秀的高度条件下，衬底厚度最大可达10mm

电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C），可通过液氮，液体循环制冷机或电阻丝加热

可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极

出色的衬底温度控制

射频功率加载在喷头上，同时优化气体输送

提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺，可精确控制薄膜应力

ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm

确保200mm晶圆的工艺均匀性

高抽气能力

提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷

更好的晶片温度控制

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