G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统是面向6/8 英寸 GaN 功率与射频器件的新一代量产型 MOCVD 设备，高产能、高均匀性、低成本，专为新能源与 5G 通信外延量产设计。

Name: G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统
Brand: 爱思强
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G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统是面向6/8 英寸 GaN 功率与射频器件的新一代量产型 MOCVD 设备，高产能、高均匀性、低成本，专为新能源与 5G 通信外延量产设计。

G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统核心配置与产能

晶圆规格与装载量：单腔支持 8×150 mm（6 英寸）或 5×200 mm（8 英寸）；最多 3 个工艺腔的集群设计，总产能可达 15×200 mm 晶圆（行星式批处理反应腔技术加持）。

紧凑型集群布局：洁净室占地面积较前代减少 50%，单位面积产出业内突出；全自动化盒对盒（C2C）晶圆传输，支持 50 片晶圆的无人值守运行。

关键工艺控制：单晶圆闭环顶面温度控制；5 流道注入器（5-flow injector）实现厚度与组分的独立精准调控，材料均匀性较前代提升显著；颗粒密度低至～0.1/cm²；设备可用率≥90%，相较上一代提升超 5%。

软件与一致性保障：搭载传感器、智能软件套件和指纹识别方案，确保腔间、批次间、维护周期内的工艺稳定性；支持从 G5+ C 等主流机型无缝工艺迁移。

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