PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

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更新时间：2026-03-12
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PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

主要特点和优点：

最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

优异的均匀性和应力控制

优秀的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，低价的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储

PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需最小的洁净室空间

双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于出色的过程控制

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PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

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