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Cassification
MBE 49分子束外延系统有四台反应器，专门用于沉积砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。这些行业前沿的机器容量为200毫米、150毫米、四片4英寸晶圆或五片3英寸晶圆，具备原位监测和生长前处理能力。
MBE 412分子束外延系统凭借全自动样品转移、12源端口灵活性以及无论材料系统如何均可重复的晶圆制造质量的epi，412设计以实现这些目标。从基础材料研究到设备的小规模生产，涵盖了各个环节。
AIX G5 WW C CVD化合物化学气相沉积系统是面向6 英寸 SiC 功率器件量产的行星式 MOCVD 设备，主打高产能、高均匀性与低成本，是车规级碳化硅外延的主流量产机型。
AIX 2800G4-TM CVD化合物化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 光电器件与射频器件的量产型行星式 MOCVD 设备，主打高均匀性、高产能与低单片成本，是光通信、VCSEL、5G/6G 射频外延的主流量产平台。
AIX G5+ C CVD化合物化学气相沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。
G10-ASP CVD砷化镓化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 基光电器件的全自动高性能 MOCVD 设备，主打高均匀、低缺陷、高产能，专为Micro LED、高速激光器、光通信 PIC等优良外延量产设计。
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