G10-ASP CVD砷化镓化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 基光电器件的全自动高性能 MOCVD 设备，主打高均匀、低缺陷、高产能，专为Micro LED、高速激光器、光通信 PIC等优良外延量产设计。

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更新时间：2026-03-12
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G10-ASP CVD砷化镓化学气相沉积系统核心配置与规格

晶圆规格与产能：支持 75/100/150/200 mm（3/4/6/8 英寸），标准配置为 8×150 mm（6 英寸）或 5×200 mm（8 英寸）；采用卡匣对卡匣（C2C）全自动晶圆传输，真空卡匣升降机可容纳 2 组 25 片晶圆盒，可选 SMIF 接口；搭载原位清洁（in-situ etching），可大幅减少颗粒污染AIXTRON。

性能指标：缺陷密度比前代设备降低 10 倍，低至 0.1/cm²；关键外延层的片内均匀性较上代提升 4 倍（源于创新喷头与晶圆级温度控制）；行星式反应器（Planetary Reactor®）技术，兼顾批量生产效率与单片级的工艺均匀性；可长时间稳定运行，减少停机维护频率AIXTRON。

自动化与占地：全流程无人值守，降低人工成本并减少人为污染；集群式紧凑设计，单位洁净室面积的吞吐量处于前列。

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G10-ASP CVD砷化镓化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 基光电器件的全自动高性能 MOCVD 设备，主打高均匀、低缺陷、高产能，专为Micro LED、高速激光器、光通信 PIC等优良外延量产设计。

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