MPALD微波等离子体增强原子层沉积系统采用 2.45GHz 微波等离子体源，结合原子层沉积自限制反应机理，可在低温条件下实现高质量、致密、均匀的大面积薄膜沉积。设备具备高均匀性、低离子损伤、优异台阶覆盖率和稳定工艺能力，适用于半导体、先进封装、新型显示、光电子等领域。

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更新时间：2026-10-20
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MPALD微波等离子体增强原子层沉积系统采用 2.45GHz 微波等离子体源，结合原子层沉积自限制反应机理，可在低温条件下实现高质量、致密、均匀的大面积薄膜沉积。 MPALD微波等离子体增强原子层沉积系统具备高均匀性、低离子损伤、优异台阶覆盖率和稳定工艺能力，适用于半导体、先进封装、新型显示、光电子等领域。

• 微波高密度等离子体：2.45GHz 微波激发，活性物种丰富，低损伤

• 高均匀薄膜沉积：支持大面积沉积，片内均匀性优

• 更快沉积速率：较传统PEALD单循环时间缩短至三倍以上

• 低温工艺窗口：50-450℃工艺范围，500℃加热盘可定制

• 多通道配置：4路源管线，4路气管线，最多扩展至8路

• 多材料沉积：Al2O3，TlO2，Ta2O5，HFO2，MoO3,AlN，MoS2

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