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Cassification
THEORIS A302 12英寸立式低温退火炉在中低温条件下,通入N₂、H₂或D₂等气体,以消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤,优化硅片界面质量,提升器件良率。该系统具备高精度的温度控制系统、良好的金属控制能力、高稳定的传输系统以及安全的特气处理装置,兼顾了良好的工艺指标、高产能和安全可靠性。
Booster SWA单片退火系统主要用于12英寸后段金属互联退火工艺。该机台为多腔集群设备,能够进行全自动并行工艺处理。系统主要由传输模块和3个工艺模块组成,其中工艺模块主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工艺,通过去除Low-K材料吸附的水汽以恢复K值,传输模块用于将晶圆安全而准确地送达到指定工位。
AGF Series电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长,多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置,下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作,同时设备拥有高精度控温、控压能力,工艺性能稳定优良。
APS Series感应式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长,创新的结构设计,可提供高纯材料生长能力,拥有高精度的控温、控压能力,工艺性能优良,设备一致性好,具有丰富的量产经验。
NVT-HG单晶生长炉主于光伏产业8-12英寸单晶硅制备工艺,该机台具有大投料量,高拉速,低能耗,自动化、智能化的优点。能够进行全自动并进行工艺处理。系统主要由籽晶升降/旋转系统,坩埚升降/旋转系统,热屏升降系统,旋阀、真空腔室、辅助功能单元及电控系统组成。
SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液,主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成,标配8个腔室2套药液系统,能够进行全自动dry in dry out清洗工艺。