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Beneq TFS 200原子层沉积ALD
简要描述:

Beneq TFS 200原子层沉积ALD为学术和企业研发设计,是一款高度多功能的原子层沉积(ALD)平台,在真正的 ALD 模式下提供出色的胶片质量。 系统的模块化架构允许多种升级,确保无论多么复杂,都能随着你的研究需求不断演进。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-03-02
  • 访  问  量:45

详细介绍

Beneq TFS 200原子层沉积ALD为学术和企业研发设计,是一款高度多功能的原子层沉积(ALD)平台,在真正的 ALD 模式下提供出色的胶片质量。 系统的模块化架构允许多种升级,确保无论多么复杂,都能随着你的研究需求不断演进。 

1.产品概述:

Beneq TFS 200原子层沉积ALD 是一款适用于科学研究和企业研发的灵活的 ALD 平台。 TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至低而特别设计的。

TFS 200 不仅可以在晶圆,平面物体上镀膜,还适用于粉末,颗粒,多孔的基底材料,或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。                      

直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP),这是当的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板(面朝上或面朝下)提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD)

2.设备用途/原理:

设备用途

原子层沉积(ALD)设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感器和催化剂等,能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。

工作原理

ALD 设备通过交替引入两种或多种气相前驱体和反应气体,以原子层的方式在基材表面沉积薄膜。每个前驱体分子在基材表面吸附并反应,形成一层薄膜,然后多余的前驱体和反应产物被清除,接着引入下一种气体。这个过程持续进行,直到达到所需的薄膜厚度。由于每一层的沉积都受到严格控制,ALD 技术能实现极薄膜层的精确沉积,通常在纳米级别,确保薄膜的均匀性和致密性。

3.主要技术指标:

循环周期小于2。在特定的条件下可以小于1。

高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。

可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。

安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。

加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。


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