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Cassification
AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。
NCE-200R原子层沉积ALD系统，基于表面自限制反应原理实现原子级精度薄膜生长，广泛应用于半导体、MEMS、光伏、储能等前沿领域。该系统核心优势在于超高沉积效率，单循环时间最短至2秒，效率达国际同类产品的4-10倍，同时薄膜厚度控制精度可达0.1nm级别，兼具优秀的3D保形性，能精准填充复杂孔洞及缺陷。
双腔型原子层沉积ALD系统采用喷淋模式双腔反应腔设计，核心面向高效研发与中试生产场景，可制备原子级精度的高质量薄膜，广泛适配半导体、微电子、能源存储、生物医疗等前沿领域的薄膜工艺需求。
单腔型原子层沉积ALD系统主打科研研发与中小规模量产场景，可覆盖 4 英寸至 12 英寸衬底的高精度纳米薄膜沉积需求，是国内 ALD 设备领域的主流选型之一。
PlasmaPro 100 Cobra感应耦合等离子刻蚀是英国牛津仪器公司推出的一款高性能、高灵活性的电感耦合等离子体刻蚀系统。它主要服务于优良半导体、微机电系统、光电子器件及前沿纳米技术等领域的研发与生产，专注于在各类材料上实现高精度、高深宽比的微纳结构刻蚀。
手套箱集成型原子层沉积ALD系统是一种高度专业化的薄膜制备设备。它将原子层沉积的高精度薄膜生长能力，与手套箱的惰性气氛保护环境无缝结合，专门用于研发那些对空气中的水氧极为敏感的前沿材料。
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