MBE 8000分子束外延系统旨在满足高性能复合半导体器件日益增长的需求。
这种8×6'或4×8'固态源MBE系统，在超高真空环境中使用超纯金属，在设计、温度均匀性和通量均匀性方面超越了该技术的基本优良预期。
该系统能够培养8片150毫米（6英寸）晶圆或4片200毫米（8英寸）晶圆，具有显著的均匀性和极低的缺陷水平。该平台已评估其940纳米VCSEL（垂直腔面发射激光器）的生长能力。

Name: MBE 8000分子束外延系统
Brand: RIBER
Availability: InStock

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Cassification

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MBE 8000分子束外延系统设备特点

1、超高真空环境：MBE系统工作在超高真空环境中，通常要求基础真空度达到1.0×10^(-10) Torr或更低，以确保分子束的纯净度和外延薄膜的质量。

2、精确控制：MBE系统能够精确控制分子束的喷射速率、沉积温度、沉积时间等参数，从而实现对外延薄膜厚度、成分和结构的精确控制。

3、高质量外延薄膜：由于MBE系统的工作环境和控制精度，其生长的外延薄膜具有质量、均匀性和低的缺陷密度，适用于制备高性能的电子和光电子器件。

4、综上所述，半自动双轴减薄机以其高精度、双轴研削单元、自动厚度测量和补偿系统、定制化工作台、操作灵活以及良好的兼容性等特点，在半导体制造、硅片加工、光学材料处理及薄膜材料制备等领域发挥着重要作用。

MBE 8000分子束外延系统设备参数：

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