专注科研设备
可信赖的服务与解决方案顾问18988909872
当前位置：首页 > 产品中心 > 半导体设备 > 化学气相沉积设备CVD
产品分类
Cassification
PD-3800L PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。
PD-220NL PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
PD-2201LC PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
PlasmaPro 80 ICPCVD化学气相沉积系统是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。
PlasmaPro 100 ICPCVD化学气相沉积系统设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。
PlasmaPro 100 PECVD化学气相沉积系统设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。
欢迎来到
相关文章
联系人：李先生
地址：海珠区新港西路135号628栋A座13F
邮箱：support@huazhaotech.cn
座机：020-89887606
