AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。

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更新时间：2026-03-02
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AEH系列单片湿法刻蚀设备，以精准化学刻蚀去除晶圆材料，具备高精度、低污染优势，适配 4-12 英寸晶圆，可用于优良封装、化合物半导体等多工艺场景。

设备配置  2-8 chambers(可选)
衬底材质  Si、SiC、GaAs、InP
适用工艺  氧化硅/氮化硅刻蚀(SiOx/SiNx etch)、金属刻蚀/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化锡/氧化锌(TO/GZo)等
工艺指标  介质刻蚀均匀性<5%、金属刻蚀均匀性<5%、颗粒控制(≤10ea@0.2µm)
应用领域  IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研等
设备尺寸  2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
AEH系列单片湿法刻蚀设备技术特征：