MNT-D双腔型原子层沉积ALD系统采用喷淋模式双腔反应腔设计，核心面向高效研发与中试生产场景，可制备原子级精度的高质量薄膜，广泛适配半导体、微电子、能源存储、生物医疗等前沿领域的薄膜工艺需求。

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更新时间：2026-02-06
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核心技术特点
• 双腔喷淋式结构设计
MNT-D双腔型原子层沉积ALD系统采用独立的双腔喷淋式反应腔，是区别于单腔横流模式的核心优势。两个反应腔可独立运行，既能并行开展相同工艺实现批量处理，也能同时进行不同工艺的研发实验，大幅提升实验效率；喷淋式气体分布设计能让前驱体在衬底表面均匀扩散，保障薄膜的均匀性与保形性，尤其适配高纵深比、三维复杂结构的衬底；双腔可独立调控温度、压力等核心工艺参数，支持多样化实验方案设计，还能实现 “一腔沉积 + 一腔准备" 的连续工作模式，减少工艺等待时间，提升整体产能。
• 高精度温度控制体系
系统具备全链路精准温控能力，衬底温度覆盖室温（RT）至 500℃，控制精度达 ±0.5℃，满足不同 ALD 工艺的温度需求；前驱体输送管路可加热至 RT-200℃，有效防止前驱体冷凝，保障稳定传输；阀体内置加热器同样支持 RT-200℃加热，且响应时间小于 5ms，确保 ALD 脉冲的快速、精准控制，是实现原子级厚度调控的关键。
• 多元前驱体输送系统
系统支持 4-8 路前驱体源接入，可兼容液态、固态、气态前驱体及臭氧源，适配多种薄膜沉积工艺；标配 50mL 挥发式容器与 100mL 载气辅助式容器，特殊规格可按需定制；配备三孔 ALD 专用阀门，响应时间小于 5ms，实现前驱体脉冲的毫秒级精准控制；可选配臭氧发生器与臭氧破坏器，满足 Al₂O₃、HfO₂等氧化物薄膜的沉积需求，同时保障尾气处理安全。
• 全自动化与安全防护功能
系统搭载 “一键沉积" 自动化流程，可实现从工艺启动、参数调控到沉积完成的全流程无人值守操作；实时显示动力气体压力、系统真空度、加热状态、阀门开关状态、镀膜进度等核心参数，方便操作人员实时监控；具备自动充气、超压保护功能，遇到压力异常、温度超标等情况时，会自动报警并触发保护机制，避免设备损坏与样品损失，保障操作安全。

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MNT-D双腔型原子层沉积ALD系统采用喷淋模式双腔反应腔设计，核心面向高效研发与中试生产场景，可制备原子级精度的高质量薄膜，广泛适配半导体、微电子、能源存储、生物医疗等前沿领域的薄膜工艺需求。

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