NCE-200R原子层沉积ALD系统，基于表面自限制反应原理实现原子级精度薄膜生长，广泛应用于半导体、MEMS、光伏、储能等前沿领域。该系统核心优势在于超高沉积效率，单循环时间最短至2秒，效率达国际同类产品的4-10倍，同时薄膜厚度控制精度可达0.1nm级别，兼具优秀的3D保形性，能精准填充复杂孔洞及缺陷。

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更新时间：2026-02-06
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NCE-200R原子层沉积ALD系统，基于表面自限制反应原理实现原子级精度薄膜生长，广泛应用于半导体、MEMS、光伏、储能等前沿领域。该系统核心优势在于超高沉积效率，单循环时间最短至2秒，效率达国际同类产品的4-10倍，同时薄膜厚度控制精度可达0.1nm级别，兼具优秀的3D保形性，能精准填充复杂孔洞及缺陷。

NCE-200R原子层沉积ALD系统采用紧凑设计，配备最多8路独立前驱体管路，支持室温至400℃精准控温，具备1毫秒级前驱体脉冲分辨控制能力，搭配冷热双重吸附阱保护系统，可延长维护周期并降低成本。其压力调节停流沉积模式，能实现微孔内壁、超高深宽比结构的三维保形包覆，可沉积Al₂O₃、HfO₂、TiN等多种氧化物与氮化物薄膜。

功能及参数指标

一、反应腔室：

• 真空反应腔体采用316不锈钢整体成型，与真空腔体连接的真空接头全部为316不锈钢内抛光金属面密封（VCR）管接头。

• 反应腔室尺寸不少于：直径8英寸，高6毫米。

• 真空腔室样品台加热温度宽于或等于：室温至350°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃。

• 真空反应腔室顶盖加热温度宽于或等于：室温至200°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃。

二、前驱体输运装置及管路：

• 前驱体汇集装置，可汇集不少于6路独立的前驱体管路。

• 前驱体汇集装置加热温度宽于或等于：室温至250°C，控制精度：≤设定温度的±1%℃，金属成型加热器，并独立控制。

• 载气控制：气体质量流量计控制范围宽于或等于10~500sccm，控制精度：≤设定值的±0.5%。

三、反应源管路及ALD阀门：

• 独立的前驱体管路≥4条，不少于4个ALD隔膜阀，寿命≥30万次，阀门开关响应时间≤10毫秒；包含≥2条管路可以加热至200℃，包含≥2条室温前驱体管理，控制精度：≤设定值的±1%。

• 前驱体脉冲精确可控，控制精度5毫秒以下。

• 前驱体源瓶加热：≥2套独立金属成型源瓶加热器，可加热温度至200°C，控制精度：≤设定值的±0.5%℃，同时要求反应源瓶阀门处温度比底部反应源温度高，且范围不超过设定值的5~10%。

四、薄膜沉积：

常规连续流动模式下在6英寸基底ALD沉积50 nm氧化铝为标准沉积工艺，以三甲基铝和水为反应源，沉积温度200°C，要求：

• 沉积均匀性：要求片内测试9个点，要求单片内不均匀性≤2%，批次间不均匀性≤3%。

• 沉积速率：单循时间≤5秒或50 nm氧化铝沉积时间不超过30分钟。

• 三甲基铝及水的脉冲时间不超过100毫秒。

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