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Cassification
AIX 2800G4-TM CVD化合物化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 光电器件与射频器件的量产型行星式 MOCVD 设备，主打高均匀性、高产能与低单片成本，是光通信、VCSEL、5G/6G 射频外延的主流量产平台。
AIX G5+ C CVD化合物化学气相沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。
G10-ASP CVD砷化镓化学气相沉积系统是面向GaAs/InP 基光电器件的全自动高性能 MOCVD 设备，主打高均匀、低缺陷、高产能，专为Micro LED、高速激光器、光通信 PIC等优良外延量产设计。
G10-GaN CVD氮化镓化学气相沉积系统是面向6/8 英寸 GaN 功率与射频器件的新一代量产型 MOCVD 设备，高产能、高均匀性、低成本，专为新能源与 5G 通信外延量产设计。
G10-SiC CVD碳化硅化学气相沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。
PD-3800L PECVD等离子体化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。
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