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Cassification
APS Series感应式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，创新的结构设计，可提供高纯材料生长能力，拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优良，设备一致性好，具有丰富的量产经验。
NVT-HG单晶生长炉主于光伏产业8-12英寸单晶硅制备工艺，该机台具有大投料量，高拉速，低能耗，自动化、智能化的优点。能够进行全自动并进行工艺处理。系统主要由籽晶升降/旋转系统，坩埚升降/旋转系统，热屏升降系统，旋阀、真空腔室、辅助功能单元及电控系统组成。
SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液，主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成，标配8个腔室2套药液系统，能够进行全自动dry in dry out清洗工艺。
Pinnacle300 12英寸槽式清洗设备适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示领域的清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给系统、电源柜等组成。传输模块将晶圆传送到指定位置，可同时传送50片，工艺模块用于清洗和蚀刻，药液供给模块用于高精度药液配比、加热、供给、浓度监测。
GAMA Series 6/8英寸全自动槽式清洗机满足全部湿法工艺需求，覆盖RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等应用，可用于典型0.35um、0.18um工艺节点，可支持90nm工艺节点，可兼容6寸和8寸晶圆。
EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺，平台式多反应腔架构，兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料，广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。
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