SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液，主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。该机台主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成，标配8个腔室2套药液系统，能够进行全自动dry in dry out清洗工艺。

SC3080 12英寸单片清洗设备可同时配备多种药液，主要用于12英寸后段和前段清洗工艺。SC3080 12英寸单片清洗设备主要由传输模块、工艺模块、药液供给模块、电源柜等组成，标配8个腔室2套药液系统，能够进行全自动dry in dry out清洗工艺。

设备特点

•精密的腔室微环境控制能力：可减少环境因素对清洗效果的干扰，确保不同批次晶圆的工艺一致性。

•支持多种化学品兼容：设备在药液管路设计、腔室材质选择上充分考虑化学品兼容性，避免不同试剂混合产生危险或影响工艺，满足多工艺场景下的试剂需求。

•高效的化学品回收效率：针对高成本试剂（如部分有机溶剂、专用蚀刻液），设备配备专用回收模块。这一设计不仅大幅降低了化学品采购成本，还减少了废液排放量，契合半导体产业 “绿色生产" 的发展趋势。

•4 腔或 8 腔灵活可选：设备提供两种腔室配置方案，适配不同产能需求 ——4 腔配置适合小批量生产、工艺研发或实验室场景，占地面积更小，投资成本更低；8 腔配置则针对大规模量产需求，可通过多腔并行处理将单位时间晶圆处理量提升至 4 腔配置的 1.8-2 倍，灵活匹配客户产能规划。

•优秀的干燥效果：清洗后的晶圆若残留水分，易导致金属层氧化、介质膜结合不良等问题。设备干燥模块加速晶圆内部残留水分蒸发，干燥后无肉眼可见水痕或颗粒残留，为后续封装、薄膜沉积等工艺提供洁净干燥的基底。

产品应用

•晶圆尺寸适配：专为12 英寸晶圆设计，从传输模块的晶圆承载台尺寸、工艺腔室的内径到清洗喷头的覆盖范围，均针对 12 英寸晶圆的物理特性（直径 300mm）优化，可稳定处理 12 英寸裸晶圆、带膜晶圆等不同类型产品，避免因尺寸不匹配导致的清洗不均或晶圆损伤，适配当前主流大尺寸晶圆产线需求。

•适用材料覆盖：兼容半导体制造中多种核心材料，且针对不同材料特性优化清洗方案：

单晶硅 / 多晶硅：作为衬底核心材料，采用低腐蚀性试剂（如稀释*）去除表面氧化层与杂质，保护晶体结构不被破坏；

氧化硅 / 氮化硅：常用于介质层或保护层，通过选择性试剂（如浓*可去除氧化硅、热磷酸可去除氮化硅）实现精准清洗或剥离，不影响周边材料；

介质膜：针对光刻胶、聚酰亚胺等介质膜，采用专用有机溶剂或等离子辅助清洗，实现无残留去除；

金属膜：针对铜（Cu）、铝（Al）等互连层金属膜，采用温和的酸性清洗液去除表面氧化层与蚀刻残留，保障金属导电性。

•适用工艺场景：聚焦晶圆后段关键工艺，同时覆盖部分前段需求，每个工艺均对应明确生产价值：

后段 Cu/Al 制程刻蚀后清洗：去除刻蚀后残留的聚合物、金属碎屑与蚀刻试剂，避免杂质影响金属互连的导电性与可靠性；

AlPad 清洗：针对铝焊盘（AlPad）表面的氧化层与污染物，通过专用清洗方案恢复焊盘活性，确保后续键合工艺的良率；

背面清洗 / 背面刻蚀：清洗晶圆背面的颗粒与杂质，或选择性刻蚀背面多余的介质层 / 金属层，避免背面污染影响封装质量，同时优化晶圆散热性能；

后段控挡片回收：对后段产线中用于保护晶圆、优化工艺均匀性的控挡片进行清洗，去除表面残留的金属杂质与介质膜，实现控挡片重复利用，降低耗材成本。

•适用领域延伸：深度适配多类半导体核心场景的工艺需求：

集成电路领域：支撑 12 英寸逻辑芯片、存储芯片（如 3D NAND、DRAM）后段金属互连工艺的清洗需求，保障芯片电学性能；

封装领域：针对封装（如 CoWoS、SiP）前的晶圆清洗，去除表面微污染物，确保封装时的键合精度与可靠性；

功率半导体领域：适配碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件的清洗需求，采用温和工艺避免损伤功率器件的高压结构，提升器件寿命；

硅基微显示领域：针对硅基 OLED、Micro LED 等微显示器件的精细结构，提供高精度清洗，确保微小像素区域无残留，保障显示效果。