Atomfab ALD原子层沉积系统为GaN功率器件和射频器件提供快速、低损伤、低运营维护成本的等离子体原子层沉积（ALD）加工。

Name: Atomfab ALD原子层沉积系统
Brand: OXFORD/英国牛津
Availability: InStock

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Atomfab ALD原子层沉积系统为GaN功率器件和射频器件提供快速、低损伤、低运营维护成本的等离子体原子层沉积（ALD）加工。

Atomfab ALD原子层沉积系统提供能满足客户的生产需求的解决方案

低运营维护成本

维护速度快且方便

优异的薄膜均匀性

材料质量高

衬底损伤低

循环时间更短，高产出

可群集和自动化晶片传送

Atomfab的ALD技术可提供精确控制的超薄薄膜，适用于纳米级的高级应用领域，为敏感衬底结构提供保形涂层。

功率器件和射频器件钝化的工艺优势

由我方工程师保证工艺设置

为附加/新工艺提供全寿命工艺支持

低损伤等离子体加工

高质量沉积，低膜污染

低粒子位准

等离子体暴露时间短，高产出

等离子体表面预处理

GaN功率器件和射频器件等离子体ALD的优势

在沉积前进行等离子体预处理以提高界面质量

损伤低，沉积均匀

远程等离子体ALD具有接近零至30 ev的可控离子能量

ALD钝化，Al2O3薄膜栅极介电层。

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