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Cassification
MA200 Gen3 掩模光刻机专用于200 毫米以下晶圆和方形基板的大批量自动化生产。它将创新对准技术与智能自动化相结合，是微机电系统 (MEMS)、射频 (RF) 和功率器件的优先系统。
MA12 Gen3 掩模光刻机是一款半自动化掩模对准机，适用于最大 300 毫米的晶圆，将成熟的光刻技术与先进的压印处理技术相结合。它为 MEMS、先进封装和研发提供了经济高效的曝光、高对准精度和工艺灵活性。
MA/BA Gen4 系列有掩模光刻机代表了标准或先进应用的半自动化掩模对准机和压印处理的两个平台。该系统将久经考验的 SUSS' 光刻技术与全新的自动化和人机工程学特性相结合，确保性能稳定、安全性更高、操作方便，适用于研究、试生产和要求苛刻的工艺环境。
MJB4有掩膜光刻机通过 MO 曝光光学系统®、多种曝光模式和模块化升级提供可靠的光刻技术。它具有亚微米分辨率和 UV-NIL 选项，为高级研发和试生产提供了灵活的技术基础。
Ionfab 300 IBE离子束刻蚀设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。
PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀设备结合了针对GaN和AlGaN层优化的全集成Etchpoint®刻蚀深度监控解决方案，可为p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT等器件提供低损伤刻蚀和平滑的表面，以及十分优秀的目标刻蚀深度精度。
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