Booster SWA单片退火系统主要用于12英寸后段金属互联退火工艺。该机台为多腔集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。系统主要由传输模块和3个工艺模块组成，其中工艺模块主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工艺，通过去除Low-K材料吸附的水汽以恢复K值，传输模块用于将晶圆安全而准确地送达到指定工位。

Booster SWA单片退火系统主要用于12英寸后段金属互联退火工艺。该机台为多腔集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。Booster SWA单片退火系统主要由传输模块和3个工艺模块组成，其中工艺模块主要用于Post Etch和Post Cu CMP退火工艺，通过去除Low-K材料吸附的水汽以恢复K值，传输模块用于将晶圆安全而准确地送达到指定工位。

设备特点

•设备加热系统采用 “双模式 + 双腔式" 结构：“双模式" 指加热系统支持不同温度区间、不同升温速率的工艺设置，可根据具体工艺需求灵活切换，无需更换加热组件；“双腔式" 则是每个工艺模块内部集成两个独立加热腔，可同时处理两片晶圆，进一步提升单模块处理效率。这种设计既增强了工艺适配灵活性，又为产能提升提供了结构基础。

•稳定的温度均匀性与良好的设备产能

温度均匀性：加热系统搭载多组温度传感器与闭环控温算法，可实时监测加热腔不同区域的温度，将腔室内温度差异控制在较小范围。均匀的温度环境能确保晶圆各区域退火效果一致，避免因局部温度不均导致的 “部分区域 K 值未恢复、部分区域铜层应力残留" 等问题，保障晶圆工艺质量的一致性；

设备产能：依托多腔集群架构与并行处理能力，3 个工艺模块可同时运行，加上全自动操作减少人工干预时间，设备整体产能可适配 12 英寸晶圆产线的批量生产节奏，无需频繁增加设备投入即可满足产线产能需求。

•设备配备高速 Load-lock（真空过渡室），核心作用是减少工艺模块的真空切换时间：退火工艺需在特定气氛（如惰性气体保护）或真空环境下进行，传统设备切换晶圆时需先破真空、取放晶圆、再抽真空，耗时较长；而高速 Load-lock 可提前完成晶圆的真空过渡 —— 晶圆先要进入 Load-lock 完成抽真空 / 气氛置换，再快速传入工艺模块，无需频繁破环工艺模块的稳定环境。这一设计不仅缩短了单片晶圆的工艺周期，还减少了工艺模块的真空系统损耗，降低设备维护成本与运营能耗，实现 “大产能、低运营成本" 的平衡。

产品应用

晶圆尺寸适配：专为12 英寸晶圆设计，设备的传输轨道宽度、工艺模块腔室尺寸、晶圆承载结构均针对 12 英寸晶圆的物理特性（直径 300mm）优化，可稳定承载、传输 12 英寸晶圆，避免因尺寸不匹配导致的晶圆传送偏移或工艺腔室适配误差，契合当前 12 英寸集成电路产线的主流需求。

•适用工艺：Sub 40nm BEOL 单片退火

BEOL（后段工艺）：指集成电路制造中 “器件制备完成后，进行金属互联、绝缘层沉积" 的工序，退火工艺是 BEOL 的关键辅助步骤，直接影响金属互联的可靠性；

Sub 40nm：表示设备可适配特征尺寸小于 40 纳米的集成电路工艺，这类工艺对金属互联的精度、绝缘性能要求更高，设备通过稳定的温度控制与 Low-K 材料水汽去除能力，可满足 Sub 40nm 工艺对退火效果的严苛要求；

单片退火：采用单片式处理方式，可针对每片晶圆的工艺参数进行细微调整（如根据前序工艺的偏差，微调退火温度或时间），保障每片晶圆的退火效果均符合标准，避免批量处理中 “一片异常、多片受影响" 的问题。

•适用领域：集成电路

核心应用于集成电路制造领域，具体覆盖逻辑芯片、存储芯片（如 DRAM、NAND）等各类集成电路的后段金属互联工序。在集成电路向 “更小制程、更大尺寸晶圆" 发展的趋势下，设备通过适配 12 英寸晶圆与 Sub 40nm 工艺，可保障后段金属互联的稳定性，间接提升芯片的性能（如降低信号延迟）与使用寿命，是集成电路制程制造中的重要辅助设备。