THEORIS A302 12英寸立式低温退火炉在中低温条件下，通入N₂、H₂或D₂等气体，以消除硅片界面处金属及非金属晶格缺陷和晶格损伤，优化硅片界面质量，提升器件良率。该系统具备高精度的温度控制系统、良好的金属控制能力、高稳定的传输系统以及安全的特气处理装置，兼顾了良好的工艺指标、高产能和安全可靠性。

设备特点

•压力控制系统：退火工艺常需在特定压力环境（常压或低压）下进行，该系统通过高精度压力传感器与压力调节阀门，实时控制炉内压力，将压力波动控制在工艺允许范围。稳定的压力环境可确保气体在炉内均匀分布，避免因压力骤变导致气体对流紊乱，影响缺陷去除效果，同时适配不同工艺对压力的差异化需求（如部分低温工艺需低压环境减少气体与硅片的副反应）。

•高精度温度场控制技术：除精准控温外，技术还通过优化炉内加热元件布局与热屏蔽结构，实现炉内温度场的均匀分布。均匀的温度场是保障硅片全片缺陷修复效果一致的关键，可避免边缘区域因温度偏低导致的缺陷残留。

•颗粒控制技术：硅片表面若附着微小颗粒，会导致器件制备过程中出现 “断线、短路" 等问题，设备通过多重颗粒控制措施，降低炉内颗粒浓度，同时避免退火过程中产生新的颗粒污染，保障硅片表面洁净度。

•可靠的氢气工艺能力技术：氢气在退火工艺中可用于还原硅片表面氧化物、去除部分非金属杂质，技术通过优化氢气流量控制、氢气与其他气体的配比调节、炉内氢气分布均匀性设计，确保氢气充分发挥作用，同时结合安全特气处理装置，在保障工艺效果的同时避免氢气使用风险，满足依赖氢气的退火工艺需求。

•大产能设计：设备采用立式结构，可兼容多片 12 英寸硅片的同时处理（如炉内可容纳多片硅片分层放置），配合全自动传输系统减少上下料时间，大幅提升单位时间的硅片处理量，适配集成电路、功率半导体等领域的批量生产需求，无需频繁增加设备投入即可满足产线产能规划。

产品应用

•晶圆尺寸适配：专为12 英寸硅片设计，设备的传输系统、炉腔尺寸、加热区域均针对 12 英寸硅片的物理特性（直径 300mm）优化 —— 例如炉腔高度与直径适配 12 英寸硅片的分层放置，传输机械臂的抓取范围精准匹配 12 英寸硅片尺寸，避免因尺寸不匹配导致的传输不稳或工艺不均，契合当前 12 英寸硅基产线的主流需求。

•适用材料：核心适配硅材料，包括单晶硅、多晶硅等硅基衬底或硅基器件半成品。针对硅材料的晶体结构与热稳定性，设备优化了退火温度区间与气体选择（如中低温避免硅晶体结构损伤，氢气适配硅表面氧化物还原），确保在消除缺陷的同时不破坏硅材料本身性能。

•适用工艺场景：覆盖四类关键退火工艺，各工艺针对不同制造需求：

低温常 / 低压工艺：适用于对温度敏感的硅基器件（如已形成金属互联的硅片），在中低温、常压或低压下完成缺陷修复，避免高温对已有结构的损伤；

合金退火：用于硅片表面金属层（如铝、铜合金层）的退火处理，促进金属层结晶优化，提升金属层导电性与与硅片的结合力；

金属 / 非金属退火：针对硅片界面残留的金属杂质（如铜、铁）或非金属缺陷（如空位、位错），通过退火去除或修复，提升界面纯度与晶体完整性；

薄片退火：适配薄型硅片（如厚度较薄的功率半导体硅片）的退火需求，通过稳定的传输与温和的工艺，避免薄片在退火过程中产生弯曲、破裂。

•适用领域延伸：

集成电路领域：用于逻辑芯片、存储芯片制造中硅片界面优化，消除光刻、刻蚀等工艺残留的晶格损伤，保障芯片电学性能与良率；

封装领域：针对封装（如 CoWoS、SiP）中的硅基中介层或芯片，通过退火优化界面质量，减少封装后 “界面失效" 风险；

功率半导体领域：适配功率硅器件（如 IGBT、MOSFET）的硅片处理，消除硅片内部晶格缺陷，提升器件耐压性与长期可靠性；

硅基微型显示领域：用于硅基 OLED、Micro LED 等微显器件的硅基底退火，优化硅基底表面平整度与界面质量，为后续微显示结构制备提供优质基础。