EPEE系列等离子化学气相沉积系统可应用于8英寸及以下集成电路、化合物半导体、新兴应用与科研领域，具备多样化的传输系统，可满足量产及研发客户需求，并具备硅、碳化硅、玻璃、蓝宝石、砷化镓、铌酸锂、钽酸锂等不同衬底传输及工艺能力.

产品型号：
厂商性质：生产厂家
更新时间：2026-10-15
访问量：46

产品咨询联系我们

产品分类

Cassification

半导体设备

原子层沉积设备ALD 物理气相沉积设备PVD 化学气相沉积设备CVD 外延设备刻蚀设备Etch 光刻设备离子注入设备化学机械抛光设备CMP 退火炉气体测量控制湿法设备WET 长晶炉设备PVT 氧化扩散设备Furnace 移载传送设备Indexer 紫外线固化炉UV Cure 辅助设备查看全部产品

相关文章

EPEE系列等离子化学气相沉积系统可应用于8英寸及以下集成电路、化合物半导体、新兴应用与科研领域，具备多样化的传输系统，可满足量产及研发客户需求，并具备硅、碳化硅、玻璃、蓝宝石、砷化镓、铌酸锂、钽酸锂等不同衬底传输及工艺能力，具备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳膜层沉积能力，具有优秀的均匀性控制能力、应力调节能力、台阶覆盖性及电学、光学调控能力，广泛应用于氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。

EPEE系列等离子化学气相沉积系统设备特点

• 先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求

• 高校传输系统，智能软件调度算法

• 高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制

• 支持气态SiH₄、液态TEOS、BPSG、FSG和碳膜等工艺

• 支持清洗终点监测

• 晶圆尺寸：8英寸及以下

• 适用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳

• 适用工艺：氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层

• 适用顿域：集成电路、化合物半导体、科研、新兴应用

上一篇：iTops i233 PVD ITO溅射物理气相沉积系统
下一篇：HORIC L200卧式低压化学气相沉积系统

留言框

产品：

您的单位：

您的姓名：

联系电话：

常用邮箱：

省份：

详细地址：

补充说明：

验证码：