iTops i233 PVD ITO溅射物理气相沉积系统要用于2/4/6/8/12英寸ITO沉积工艺。系统由传输模块、工艺模块、附属设备以及电源柜组成。该设备具有占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便，运营成本低等优势。

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更新时间：2026-10-15
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iTops i233 PVD ITO溅射物理气相沉积系统是一款具备加热能力、精确温度控制和优异真空性能的半导体溅射设备，用于制备高晶体质量的氮化铝薄膜，具有优异的薄膜厚度均匀性。iTops i233 PVD ITO溅射物理气相沉积系统兼容2/4/6英寸晶圆，适用于化合物半导体领域，且占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、设备稳定、稼动率高、运营成本低。其工作原理是利用高能离子撞击靶材，使原子或分子逸出并沉积在基片上形成薄膜。该系统特别适合于氮化铝缓冲层的溅射工艺。

• 采用托盘形式，可兼容2/4/6/8/12英寸wafer

• 低损伤溅射工艺

• 占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便

• 设备稳定，运营成本低

• 晶圆尺寸：2、4、6、8、12英寸

• 适用材料：铟锡氧化物

• 适用工艺：ITO 电流扩展层

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iTops i233 PVD ITO溅射物理气相沉积系统要用于2/4/6/8/12英寸ITO沉积工艺。系统由传输模块、工艺模块、附属设备以及电源柜组成。该设备具有占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便，运营成本低等优势。

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