Hesper TO230R 单片减压湿法氧化扩散系统适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、科研等领域，单腔或多腔多种设计，可满足不同客户需求，低拥有成本和低运营成本。

Hesper TO230R 单片减压湿法氧化扩散系统适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、科研等领域，单腔或多腔多种设计，可满足不同客户需求，低拥有成本和低运营成本。

设备特点

•16 区加热设计，保障温场均匀性

Hesper TO230R 单片减压湿法氧化扩散系统采用 16 个独立加热区的设计，每个加热区可通过精准控温算法单独调节功率：通过对炉内不同区域的温度进行细分控制，有效减少炉内温度差异，使温场均匀性保持在良好水平。这种设计对湿法氧化工艺至关重要 —— 二氧化硅的生长速率与温度直接相关，均匀的温场能确保晶圆各区域（从中心到边缘）的氧化反应速率一致，避免出现局部氧化层过厚、过薄或质量不均的问题，最终保障二氧化硅层的厚度精度与性能稳定性。

•单腔 / 多腔灵活选择，适配不同需求

针对不同客户的产能规划与应用场景，设备提供两种腔室配置：

单腔配置：结构相对简洁，适合实验室研发、小批量试产或对产能需求较低的场景，可降低客户初始设备采购成本，同时便于针对特定工艺进行参数调试；

多腔配置：集成多个独立工艺腔，各腔室可同步运行相同或不同工艺，大幅提升整体产能，适配集成电路、功率半导体领域的规模化量产需求，减少产线设备占地面积。

低拥有成本与低运营成本，兼顾经济性

低拥有成本：设备设计简化了部分复杂配套组件，初始采购成本更具优势，同时无需大规模改造厂房即可安装调试，减少前期基建投入；

低运营成本：通过优化加热系统能耗、采用易维护的部件设计（如关键组件模块化，更换便捷），降低日常能耗支出与维护成本；此外，工艺过程中试剂利用率较高，减少耗材浪费，进一步压缩运营成本。

•友好的人机交互与安全性设计，保障稳定高效

人机交互方面：设备配备直观的操作界面，工作人员可便捷地设置工艺参数（如温度、压力、氧化时间），同时支持工艺数据存储与追溯，降低操作复杂度，减少人为操作误差；

安全性设计方面：集成多重安全保护功能，包括异常温度报警、压力超限保护、试剂泄漏检测及紧急停机装置，可实时监测设备运行风险，及时响应突发状况，既保障操作人员安全，又避免因异常情况导致设备损坏或工艺中断，确保系统长期稳定、高效运行。

产品应用

•晶圆尺寸适配：12 英寸单片处理

设备专为 12 英寸晶圆设计，从工艺腔室尺寸、晶圆传输轨道宽度到加热区域覆盖范围，均针对 12 英寸晶圆的物理特性（直径 300mm）优化：传输系统可稳定承载 12 英寸晶圆，避免传送过程中出现偏移或划伤；加热区域能完整覆盖晶圆表面，确保全片温场均匀，适配当前 12 英寸晶圆在集成电路、功率半导体领域的主流应用需求，无需对设备进行大规模改造即可处理该尺寸晶圆。

•适用材料：二氧化硅制备

核心用于二氧化硅的湿法氧化制备，二氧化硅是半导体制造中的核心材料 —— 在集成电路中常用作器件间的绝缘层，避免信号干扰；在功率半导体中可提升器件的耐压性；在衬底材料领域可作为衬底表面的保护层或预处理层。设备通过减压原位湿法氧化工艺，能制备出纯度高、致密性好的二氧化硅层，满足不同领域对二氧化硅材料的性能要求。

•适用工艺：湿法氧化与减压 Spike

湿法氧化：在减压环境下，通过通入氧化剂（如氧气与水蒸气的混合气体）与硅晶圆表面发生反应，生成二氧化硅层。减压环境可减少氧化过程中气泡的产生，提升二氧化硅层的致密性与平整度，同时控制氧化速率，确保氧化层厚度精准；

减压 Spike：一种快速升温 - 降温的辅助工艺，常用于湿法氧化后对二氧化硅层进行处理 —— 通过短暂的高温处理（在减压环境下避免氧化层损伤），优化二氧化硅层的微观结构，减少缺陷，提升其绝缘性能与与硅基底的结合力，进一步优化器件可靠性。

•适用领域延伸

集成电路领域：用于逻辑芯片、存储芯片（如 DRAM、NAND）制造中绝缘层、掩膜层的二氧化硅制备，保障芯片内部器件的电气隔离与光刻工艺的精度；

功率半导体领域：为硅基功率器件（如 IGBT、MOSFET）制备高质量二氧化硅层，提升器件的耐压等级与长期工作稳定性；

衬底材料领域：对硅衬底进行表面氧化处理，形成二氧化硅保护层，或为后续薄膜沉积工艺提供优质基底，提升衬底材料的使用性能；

科研领域：支持实验室对湿法氧化工艺的参数探索（如不同压力、温度对二氧化硅质量的影响），为新型半导体材料或器件的研发提供工艺设备支持。