AGF Series电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。

AGF Series电阻式SiC长晶炉适用于6/8英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时AGF Series电阻式SiC长晶炉拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。

设备特点

•多尺寸与多类型 SiC 晶体适配性：设备可稳定支持 6 英寸、8 英寸两种主流尺寸的 SiC 晶体生长，无需对设备核心结构进行大规模改造，仅通过调整热场参数与坩埚规格即可实现不同尺寸的工艺切换，适配从中小批量研发到规模化生产的不同需求。针对导电型与高纯半绝缘型 SiC 晶体的生长差异（如高纯半绝缘型对杂质控制要求更高），设备在腔室洁净度设计、原料提纯辅助环节均进行了针对性优化，确保两种类型晶体均可达到生长质量要求。

•4 组加热器独立控制，温场调节灵活：设备搭载 4 组独立控制的加热器，每组加热器可根据工艺需求单独调节功率：例如在 SiC 晶体生长初期，可通过调整底部加热器功率加速原料升华，同时控制顶部加热器功率维持籽晶区域的稳定温度；生长中期则可微调侧面加热器功率，补偿腔室边缘的热量损耗。这种灵活的温场调节能力，可适配不同生长阶段的热场需求，也能根据不同批次原料的特性调整参数，减少因温场不均导致的晶体缺陷（如位错、夹杂）。

•坩埚系统带升降、旋转功能，提升温场均匀性：坩埚作为 SiC 原料的承载与升华容器，配备升降与旋转双重功能：升降功能可根据原料升华消耗情况，缓慢调整坩埚位置，确保原料升华区域与籽晶沉积区域的距离始终稳定，避免因距离变化导致的生长速率波动；旋转功能则可促进坩埚内原料的均匀受热，减少局部过热或过冷，同时带动升华后的气相物质均匀扩散，进一步提升整个生长区域的温场均匀性，保障 SiC 晶体在直径、纯度等关键指标上的一致性。

•下装载、上维护设计，操作便捷性提升：设备采用 “下装载" 结构，即 SiC 原料、坩埚等核心部件从设备下部进行装载与取出，无需拆卸设备上部的热屏、籽晶组件，大幅缩短开炉、装料、取晶的操作时间；同时采用 “上维护" 设计，设备的电气元件、检测传感器等需维护部件集中布置在设备上部，维护时无需移动下部的高温腔室与坩埚系统，降低维护过程中对核心工艺部件的干扰风险，既提升了日常操作效率，也减少了维护后的工艺校准工作量。

产品应用

•晶体尺寸适配：明确支持 6 英寸与 8 英寸 SiC 晶体生长，设备的腔室空间、热场覆盖范围、晶锭取出通道均针对这两种尺寸优化：例如 8 英寸晶体生长时，腔室可容纳更大规格的坩埚与晶锭，热场设计确保晶锭从中心到边缘的温度差异控制在合理范围，避免因尺寸增大导致的晶体边缘质量下降，适配当前 SiC 衬底从 6 英寸向 8 英寸升级的产业趋势。

•适用材料：核心适用材料为碳化硅（SiC），可生长满足不同器件需求的 SiC 晶体：用于功率半导体领域的导电型 SiC 晶体，需控制掺杂元素（如氮）的均匀性；用于射频领域的高纯半绝缘型 SiC 晶体，需严格控制杂质含量（如金属离子、深能级缺陷），设备通过工艺参数优化与环境控制，可满足两类 SiC 晶体的材料特性要求。

•适用工艺：采用物理气相输运法（PVT 法）进行 SiC 晶体生长，这是当前 SiC 晶体制备的主流工艺 —— 通过电阻加热使 SiC 原料升华形成气相物质，气相物质在温度较低的籽晶表面沉积并有序结晶，最终形成 SiC 晶体。设备针对 PVT 法的工艺特点，优化了加热速率控制、气相传输路径设计、籽晶定位精度，确保升华、传输、沉积三个环节稳定衔接，提升晶体生长的成功率与质量。

•适用领域

化合物半导体领域：为 SiC 基化合物半导体器件（如功率器件、射频器件）提供衬底制备设备支持，衬底质量直接影响器件的电学性能（如耐压性、高频特性），设备的稳定运行可保障衬底的一致性；

科研领域：设备的工艺参数可灵活调整（如加热器功率、坩埚转速、腔室压力），支持科研机构开展 SiC 晶体生长的工艺探索（如新型掺杂工艺、缺陷控制技术研究），助力 SiC 材料技术创新；

衬底材料领域：用于高质量 SiC 衬底的规模化生产，SiC 衬底是 SiC 器件制造的核心基础材料，设备可满足衬底生产对纯度、平整度、尺寸的要求，为下游器件制造提供优质原料。

•加热方式采用电阻加热方式，电阻加热通过电流流经加热元件产生热量，具有温度控制精度高、加热过程稳定、热量分布易调节的优势 —— 可精准将 SiC 原料加热至升华所需温度，且能通过调整加热元件的电流大小，实现对温度的细微调控，符合 SiC 晶体生长对高温、稳定热场的工艺需求。