NMC 508系列ICP刻蚀设备主要用于集成电路/封装/化合物半导体/新兴领域6/8英寸半导体及金属氧化物等材料干法刻蚀。多腔室集群设计，支持全自动并行工艺，适合中试线、大规模生产线的量产应用。

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更新时间：2026-10-15
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NMC 508系列ICP刻蚀设备主要用于集成电路/封装/化合物半导体/新兴领域6/8英寸半导体及金属氧化物等材料干法刻蚀。多腔室集群设计，支持全自动并行工艺，适合中试线、大规模生产线的量产应用。该设备采用独特的等离子体源、多区进气、直下抽腔室等设计，具备优异的刻蚀均匀性和刻蚀精度，适用金属刻蚀、硅刻蚀、深硅刻蚀、低损伤刻蚀等多种工艺，为多品类刻蚀场景提供优异解决方案。

NMC 508系列ICP刻蚀设备特点

• 独特的等离子体源与腔室结构设计。

• 高刻蚀均匀性和刻蚀精度。

• 灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用。

• 突出的量产稳定性，更高的MTBC，更低的CoO。

• 晶圆尺寸：6″/8″

• 适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体、新兴应用与科研领域设备

• 适用工艺：多种材料刻蚀工艺

• 适用材料：硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、金属、有机物等

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NMC 508系列ICP刻蚀设备主要用于集成电路/封装/化合物半导体/新兴领域6/8英寸半导体及金属氧化物等材料干法刻蚀。多腔室集群设计，支持全自动并行工艺，适合中试线、大规模生产线的量产应用。

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