GDE C200系列高密度化合物刻蚀设备主要用于6/8英寸化合物材料干法刻蚀。该设备采用超高密度等离子体源、独立控温上电极系统，配置高温下电极系统，可以兼容二/三/四代化合物半导体材料刻蚀。

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更新时间：2026-10-15
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GDE C200系列高密度化合物刻蚀设备主要用于6/8英寸化合物材料干法刻蚀。该设备采用超高密度等离子体源、独立控温上电极系统，配置高温下电极系统，可以兼容二/三/四代化合物半导体材料刻蚀。设备刻蚀速率高、均匀性好，颗粒控制稳定，在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域应用广泛。

GDE C200系列高密度化合物刻蚀设备特点

• 独特的等离子体源和频率设计，等离子体密度高。

• 业界突出的刻蚀速率、刻蚀均匀性。

• 应用领域广泛，使用二/三/四代化合物半导体材料刻蚀。

• 适配多种终点检测方法，OES/IEP/LEP可选。

• 晶圆尺寸：8″及以下

• 适用领域：集成电路、化合物半导体、新兴应用与科研领域设备

• 适用工艺：碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工

• 适用材料：碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、氧化镓、金刚石

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GDE C200系列高密度化合物刻蚀设备主要用于6/8英寸化合物材料干法刻蚀。该设备采用超高密度等离子体源、独立控温上电极系统，配置高温下电极系统，可以兼容二/三/四代化合物半导体材料刻蚀。

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