HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反应腔硬件平台。

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更新时间：2026-10-15
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HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反应腔硬件平台。依托立体高密度双等离子源、优化腔室硬件架构与全套工艺方案，兼容各类深硅刻蚀制程，在保障高选择比的前提下实现超高刻蚀速率，精准管控刻蚀深度、片内均匀性与整片晶圆工艺稳定性。设备具备等离子分布灵活可调、高量产产能、低综合拥有与运营成本的核心性能优势。作为先进封装深硅刻蚀量产主力设备，为先进封装深硅刻蚀量产场景提供成熟方案。

HSE P300 深硅刻蚀设备特点

• 配备立体高密度双等离子源，腔室内等离子密度和分布可调。

• 满足选择比的同时保持超高刻蚀速率。

• 全自动化软件控制，调度智能，满足高产能。

• 低拥有成本和运营成本。

• 晶圆尺寸：12″

• 适用领域：先进封装

• 适用工艺：深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、2.5D露铜刻蚀等

• 适用材料：硅、氧化硅、氮化硅

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HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机采用电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反应腔硬件平台。

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