SIPAR ICP化学气相沉积系统开发并设计适用于多种沉积模式和工艺，采用灵活的系统架构。该工具包括ICP等离子体源PTSA、一个动态温控基板电极和一个全部控制的真空系统。

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更新时间：2026-03-11
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SIPAR ICP化学气相沉积系统开发并设计适用于多种沉积模式和工艺，采用灵活的系统架构。该工具包括ICP等离子体源PTSA、一个动态温控基板电极和一个全部控制的真空系统。该系统将等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和原子层沉积（ALD）结合在同一个反应堆中。

主要特点与优势

SSIPAR ICP化学气相沉积系统结合了原子层沉积（ALD）和感应耦合等离子体增强真空沉积（ICPECVD）技术，采用序列沉积方法，在同一反应室内进行。用户可以利用这两种工艺的优势，实现精确、趋同且高质量的多层薄膜，并能出色控制薄膜厚度、均匀性、选择性和沉积速率。这在优良有机电子学、微电子学、纳米技术和半导体器件研究中尤为重要。

灵活系统架构

该系统采用灵活的系统架构，设计和开发适用于多种沉积模式和过程。由均匀且贴合沉积的ALD层和快速生长的ICPECVD薄膜组成的混合多层，在有机器件技术、纳米技术以及半导体研究和工业领域带来了优势。

SENTECH SIPAR ICP 高效的多层沉积能力和小巧的占地面积使其具备成本效益且多功能。它非常适合用于有机器件技术、纳米技术和半导体研究领域的研发和学术机构。

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SIPAR ICP化学气相沉积系统开发并设计适用于多种沉积模式和工艺，采用灵活的系统架构。该工具包括ICP等离子体源PTSA、一个动态温控基板电极和一个全部控制的真空系统。

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