EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺，平台式多反应腔架构，兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料，广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。

EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺，平台式多反应腔架构。

EPEE i200等离子体增强化学气相沉积系统兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料，广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。

设备特点

•单腔双片架构：在单个反应腔内实现两片晶圆的同步工艺处理，既保留了单腔环境稳定、工艺参数易精准控制的优势（保障薄膜质量一致性），又通过双片并行提升了单位时间的产能，兼顾 “高性能" 与 “高产能"，适用于从批量生产到精密工艺研发的多种场景；

•高效传输系统与智能软件调度算法：传输系统采用高精度机械结构，可实现晶圆在不同模块间的平稳、快速转移，避免因传输晃动导致的晶圆损伤或工艺偏差；搭配的智能软件调度算法能根据实时工艺需求、腔室占用情况优化晶圆传输路径与工艺顺序，减少等待时间，提升设备整体运行效率，同时确保多批次工艺的稳定性；

•高效远程等离子体清洗系统：通过远程生成等离子体对反应腔内部进行清洗，可有效去除腔室残留的薄膜碎屑、反应副产物等杂质，避免杂质对后续沉积工艺造成污染；该系统清洗效率高且不损伤腔室结构，能长期维持腔室洁净度，配合严格的颗粒监控机制，实现良好的颗粒控制，保障薄膜沉积质量；

•灵活的沉积工艺支持：可同时兼容气态硅烷（如 SiH₄）和液态正硅酸乙酯（TEOS）两类沉积原料对应的工艺 —— 气态硅烷工艺适合制备高纯度、高致密性的薄膜，液态 TEOS 工艺则在薄膜台阶覆盖性、工艺稳定性上有优势；两种工艺的兼容让设备能根据不同薄膜的性能要求（如绝缘性、致密性、覆盖性）灵活选择方案，满足多样化应用需求。

产品应用

•晶圆尺寸适配：明确兼容 6 英寸与 8 英寸两种主流晶圆规格，无需对设备进行大规模机械改造或参数重构即可实现不同尺寸晶圆的工艺切换，降低了产线在应对不同订单需求时的设备调整成本，提升了产线灵活性；

•适用材料覆盖：除核心的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅外，还可沉积非晶硅（用于薄膜晶体管等结构）、非晶碳（用于硬掩膜、保护层）、PSG（常用于晶圆表面钝化、掺杂源）、BPSG（多用于多层金属互连间的绝缘层），覆盖半导体制造中多种关键功能薄膜的制备需求；

•适用工艺场景：聚焦三大核心工艺 —— 掩膜层沉积（为光刻工艺提供图形转移的 “模板"，保障光刻精度）、钝化层沉积（保护晶圆表面器件免受外界环境侵蚀，提升器件可靠性）、绝缘层沉积（实现器件不同导电区域间的电气隔离，避免漏电或信号干扰），是半导体器件制造中多个关键工序的核心设备；

•适用领域延伸：广泛应用于集成电路领域（支撑逻辑芯片、存储芯片的核心薄膜制备）、化合物半导体领域（适配 GaAs 等化合物衬底的工艺需求，助力射频、光电子器件制造）、功率半导体领域（满足 SiC 等功率器件的绝缘、钝化层需求）、半导体照明领域（如 LED 芯片的薄膜制备，提升发光效率与稳定性）、硅基微型显示领域（为硅基 OLED、Micro LED 等微显器件提供关键结构层），同时也适用于高校、科研机构的半导体材料与工艺研发，为技术创新提供设备支持。