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MLA 150 无掩模光刻系统
简要描述:

MLA 150 无掩模光刻系统采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-04-10
  • 访  问  量:29

详细介绍

MLA 150 无掩模光刻系统采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。

MLA 150 无掩模光刻系统特点:

非常适合多用户设施

不到 1 小时的培训即可获得用户资格

快速准确的对准

250 纳米正面对准、背面对准、对准误差补偿

灵活

可在同一系统上同时安装两台激光器,对整个光刻胶范围进行曝光

不同的曝光模式可用于快速或高质量的结构化

额外的真空吸盘可用于小基板、箔或翘曲基板等具有挑战性的样品

运行成本低,易于维护

激光寿命为 10-20 年

直写光刻技术

没有与面具相关的成本、工作量或安全风险

灰度模式

对于简单的 2.5D 结构

曝光质量

边缘粗糙度 60 nm;CD 均匀度 100 nm;翘曲/波纹衬底自动对焦补偿

最小特征尺寸

提供两种不同的写入模式,最小特征尺寸可达 0.45 μm

方便用户

专门设计的软件和工作流程使工具操作快速简便

曝光速度

使用 405 纳米激光在 <16 分钟内完成 150 毫米晶片的切割


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