GNP POLI-400L CMP化学机械抛光系统设计用于高级 CMP 工艺开发应用，如 MEMS 以及 CMP 特性研究。该系统拥有成本低，占地面积小。

Name: GNP POLI-400L CMP化学机械抛光系统
Brand: G&P
Availability: InStock

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GNP POLI-400L CMP化学机械抛光系统设计用于高级 CMP 工艺开发应用，如 MEMS 以及 CMP 特性研究。GNP POLI-400L CMP化学机械抛光系统拥有成本低，占地面积小。

特征

100~150毫米晶圆CMP机用于研发

稳定重复性（WTWNU<5%）

高刚性

简单，稳健

低拥有成本

规格

头部，工作台：30~200转/分钟，旋转运动，头部振荡（±15毫米）

尺寸：970W * 1010D * 1850H mm

印板尺寸：Φ 406 mm（16英寸），阳极氧化铝（可选：特氟龙涂层）

压制方式：可变气压电子控制器

膜类型：70~500 g/cm2（1 psi ~ 7 psi）适用于4英寸、6英寸晶圆

工艺：自动序列，干入/湿出

选项

刹车台调节方法：振荡头型或摆臂型

双头系统

摩擦力与温度监测系统

应用

工件：6英寸晶圆，MEMS结构，优惠晶圆

CMP工艺：硅CMP、氧化物CMP（BPSG、TEOS、SC）、金属CMP（W、Cu）、STI、PGI等

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