咨询热线

18988909872

当前位置:首页   >  产品中心  >  半导体设备  >  外延设备  >  HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统

HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统
简要描述:

HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统配置不同类型的蒸发源,适用于强磁场下多种材料体系研究,可生长金属、磁性薄膜及半导体异质结,适合互联多种原位量测系统。同时系统操作简单,模块化腔室构型,方便日常维护保养。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-03-03
  • 访  问  量:48

详细介绍

HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统配置不同类型的蒸发源,适用于强磁场下多种材料体系研究,可生长金属、磁性薄膜及半导体异质结,适合互联多种原位量测系统。同时系统操作简单,模块化腔室构型,方便日常维护保养。

HMF-MBE-200 强磁场MBE外延系统特点:

集成无液氦强磁场超导磁铁                         

可实现室温强磁场条件下分子束外延生长                            

生长源部件:3xDN40CF(强磁场下生长铁磁材料)、2xDN40CF(生长常规金属)、1xDN40CF(射频等离子源)

技术参数
HMF-MBE-200
模块描述配置参数
生长室

腔体腔体材料SS316
腔体尺寸200mm I.D
烘烤温度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽气系统300L/s分子泵+10m3/h机械泵
真空测量系统离子规+Pirani规
离子泵选配
样品架样品尺寸Flag-type样品托
衬底加热方式辐射加热
衬底加热器温度1200K
部件蒸发源配置6xDN40CF
独立的蒸发源挡板气动驱动
QCM选配
Ion Source选配
RGA选配
超导磁体磁体类型干式/GM制冷
磁体环境室温腔体
腔体内径105mm
磁场强度±9T
磁场均匀性<0.1%
快速进样室
腔体腔体材料SS316
烘烤温度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽气系统80L/s分子泵+10m3/h机械泵 
真空测量系统全量程规
部件样品停放台6或12工位
传样杆CF35/600mm
机械手CF35/150mm
系统集成及控制GUIDE软件标配
烘烤系统标配
系统支架标配
真空照明系统选配
等离子清洗选配
CCD相机选配


产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
华兆科技(广州)有限公司
  • 联系人:李先生
  • 地址:海珠区新港西路135号628栋A座13F
  • 邮箱:support@huazhaotech.cn
  • 座机:020-89887606
关注我们

欢迎您关注我们的微信公众号了解更多信息

扫一扫
关注我们
版权所有©2026华兆科技(广州)有限公司All Rights Reserved    备案号:粤ICP备2025445348号-2    sitemap.xml    总访问量:5399
管理登陆    技术支持:化工仪器网