eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统，适用于12英寸集成电路领域，是一款PVD设备。该系统集成高温去气、等离子体预清洗、高温Al、TaN、TTN等多种工艺模块，能在系统内部实现工艺整合，还涉及大平台传输、高温静电卡盘、磁控溅射源设计、厚铝Whisker Defect控制及软件控制等多项关键技术。

eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统，适用于12英寸集成电路领域，是一款PVD设备。eVictor PVD Al金属铝薄膜物理气相沉积系统集成高温去气、等离子体预清洗、高温Al、TaN、TTN等多种工艺模块，能在系统内部实现工艺整合，还涉及大平台传输、高温静电卡盘、磁控溅射源设计、厚铝Whisker Defect控制及软件控制等多项关键技术。

设备特点

•磁控溅射系统性能：设备搭载磁控溅射系统，通过优化磁场分布与溅射参数调控，能够有效提升薄膜沉积过程中的均匀性 —— 确保晶圆表面不同区域的薄膜厚度、成分保持一致，减少因薄膜不均导致的产品性能差异；同时，该系统可优化靶材的溅射路径，减少靶材的无效消耗，显著提高靶材利用率，降低材料浪费，帮助企业控制原材料成本。

•温度控制组件设计：设备配备专业的加热基座与高温静电卡盘，二者协同作用实现良好的温度均匀性。加热基座采用精准的温度传导结构，可避免局部过热或温度不足的情况；高温静电卡盘则能紧密吸附晶圆，确保晶圆与基座间的热传导稳定，进一步保障晶圆整体温度分布均匀。稳定的温度环境为后续工艺提供了可靠基础，减少因温度波动对薄膜质量、刻蚀效果等关键环节的影响。

•双腔传输平台配置：设备采用全新双腔传输平台，具备较强的可配置性 —— 企业可根据实际生产需求，灵活调整平台的运行参数与模块组合方式；同时，该平台支持接入 10 个工艺模块，能够实现多道工艺的集成化处理，无需频繁转移晶圆至不同设备，大幅缩短生产流程耗时，提升整体生产效率。

•缺陷解决方案效果：设备针对 Whisker Defect（晶须缺陷）配备了优秀的解决方案，通过优化工艺参数（如溅射功率、温度控制）、改进腔室内部环境等方式，有效抑制晶须缺陷的产生，降低产品表面的缺陷率。这一设计减少了因缺陷导致的不合格品，提升了产品良率，间接降低了企业的生产成本与返工成本。

•产能与运营成本优势：在产能方面，设备具备较大的处理能力，单位时间内可完成更多晶圆的加工任务，能够满足企业规模化生产的需求，助力提升整体产能；在运营成本上，设备运行过程中能耗较低，且日常维护频率较低、维护操作难度较小，所需维护配件的更换成本也相对可控，有效降低了企业长期运营过程中的资金投入。

产品应用

•晶圆尺寸适配性：设备在晶圆尺寸适配方面专注于 12 英寸晶圆的加工处理，针对 12 英寸晶圆的尺寸特性优化了腔室结构、传输路径与工艺参数，能够稳定实现 12 英寸晶圆的精准加工，无需额外进行复杂的设备改造或参数调试，确保 12 英寸晶圆生产过程中的稳定性与一致性，满足企业对大尺寸晶圆加工的需求。

•适用材料范围：设备可适配铝、氮化钽、氮化钛、钛等多种金属及金属化合物材料的加工需求。针对不同材料的物理特性（如熔点、硬度）与化学特性（如反应活性、导电性），设备通过调整磁控溅射参数、温度控制范围等，确保各类材料在沉积过程中能够形成质量稳定的薄膜，满足后续工艺对材料性能的要求，为半导体器件的导电层、保护层等结构制造提供支持。

•适配工艺类型：设备可广泛支持 AlPad（铝焊盘）、铝线、热铝等关键工艺环节。其中，AlPad 工艺用于制造半导体器件的电极引出端，设备可保障铝焊盘的平整度与导电性；铝线工艺用于芯片内部的金属互联，设备能精准控制铝线的线宽与厚度；热铝工艺则针对高温环境下的铝材料加工需求，设备通过稳定的温度控制确保热铝工艺的顺利实施，为不同工艺环节的质量提供保障。

•覆盖应用领域：设备的应用领域集中在集成电路、功率半导体、硅基微型显示三大领域。在集成电路领域，可为芯片的金属互联层、电极结构制造提供支持；在功率半导体领域，能够满足功率器件中导电层、缓冲层的加工需求，保障器件的耐高压、大电流性能；在硅基微型显示领域，可用于显示面板中金属电极、连接线路的制造，助力提升显示面板的分辨率与稳定性。